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? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Super Fast Recovery Diode
RFU5TF6S
?Series
?Dimensions(Unit : mm)
?Structure
Ultra Fast Recovery
?Applications
General rectification
?Features
1)Single type.(TO-220)
2)Ultra high switching speed
?Construction
Silicon epitaxial planer
?Absolute maximum ratings(Tc=25?C)
Parameter Conditions Limits UnitSymbol
VRM
Reverse voltage Direct voltage 600 VVR
Average rectified forward current Io
Tj
Tstg
?Electrical characteristics(Tj=25?C)
Parameter Conditions Min. Typ.Symbol
Unit
Forward voltage
VF
V
IR
μA
trr
-15 25
ns
Thermal resistance(*) Rth(j-c)
-- 4?C/W
(*) : Design assurance without measurement.
Storage temperature
?55 to ?150
?C
A
one cycle peak value, Tj=25?C
Junction temperature
150
?C
Forward current surge peak
IFSM
60Hz half sin wave, Non-repetitive
60
60Hz half sin wave, Resistance load,
Tc=93?C
5.0 A
Repetitive peak reverse voltage
Duty?0.5
600 V
junction to case
10
Reverse recovery time (*)
IF=0.5A,IR=1A,Irr=0.25×IR
Reverse current
VR=600V
- 0.02
Max.
IF=5.0A
- 2.2 2.8
(1) (3)
?+0.30.1
+0.4
?
0.2
+0.1?0.05
+0.2?0.1
+0.3?0.1
1/3
2011.06 - Rev.A
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